英特尔计划于2023年底推出3nm(Intel3)工艺节点

据报道，在接受日本媒体ITMedia采访时，英特尔日本负责人透露，英特尔计划于2023年底推出3nm(Intel3)工艺节点。第5代XeonEmeraldRapids-SP将采用Intel3工艺制造。

此外，英特尔还计划于未来几个月内大规模生产其4nm(Intel4)节点。英特尔日本负责人进一步指出，随着Alder和RaptorLake的7nm(Intel7)节点问世，MeteorLake的4nm晶圆已经量产。Intel4工艺将带来20%的每瓦性能提升，并采用EUV光刻技术以获得更好的良率和密度。

此前，3nm工艺领域的主要玩家只有两位——台积电和三星。随着英特尔的加入，3nm制程的市场竞争格局逐渐扑朔迷离。

台积电于2022年下半年宣布了量产3nm芯片，但其3nm工艺的推广进程并非一帆风顺。据台湾电子时报12月30日报道，台积电3nm代工价突破2万美元，目前客户接受度较低，只有苹果为其“忠实粉丝”，高通则选择了分流订单——行销长DonMcGuire透露，进入GAA工艺后，高通或将采用苹果、三星双供应商策略。海外媒体Tomshardware近日报道指出，为刺激客户采用，台积电考虑降低其3nm制程系列的报价。

而三星的3nm制程此前备受“良率低下”所扰，BusinessNext采访的半导体行业分析师和专家表示，台积电N3良率最高可达75%至80%，而三星代工厂的3GAE良率在早期阶段仅10%到20%。但据韩国每日经济新闻1月10日报道，三星一位高管在受访时表示，三星第一代的3nm制程良率接近完美，第二代3nm芯片技术也迅速展开。