英特尔1.8纳米制程年底流片，宣告归来

据报道，当全球芯片界的目光都聚焦于台积电与三星的2纳米之争时，沉寂已久的英特尔以另一种方式宣告归来。

北京时间2022年9月28日，英特尔在美国加州圣何塞市举行了第二届On技术创新峰会。现任掌门人CEO帕特·基辛格在本届峰会上公布了Intel18A制程的最新进展——PDK0.3版本已被早期设计客户采用，测试芯片正在设计中，将于年底流片。

作为基辛格去年上任后提出的IDM2.0战略的一部分，Intel18A所对应的正是业内主流的1.8纳米制程。根据规划，英特尔原定在2025年量产1.8纳米制程，但在今年二季度财报会议上，基辛格透露这一时间被提前到了2024年下半年，同期推出的，还将包括Intel20A，即2纳米制程。

值得注意的是，除1.8纳米和2纳米外，英特尔宣告发力的几乎是包括7纳米、4纳米、3纳米在内的全系列前沿制程。截至目前，Intel7(即7纳米制程工艺)已搭载在去年底推出的12代酷睿上，并将沿用至13代酷睿，而2024年，Intel4(即4纳米制程工艺)将会量产，根据官方透露的信息，该系列将首次引入EUV光刻工艺。

虽然流片距离真正的量产还为时尚早，但基辛格带领下的英特尔发出的信号无疑是明确的——在7纳米制程因延期而被遭受到诸多质疑后，这家昔日巨头正在重新回归半导体最顶尖领域的竞争行列。

英特尔1.8纳米之所以受到如此关注，显然与目前芯片制造领域的领头羊台积电的动态紧密关联。后者在今年6月的行业论坛上宣布，3纳米制程将在今年下半年试产，同时将花费1万亿新台币(折合约2290亿元人民币)扩大2纳米产能布局，并在2024年试产，2025年开始量产。

而2纳米正是目前台积电已公布的规划中最前沿的制程，也是除英特尔外，目前全球半导体产业已知在研的最精尖制程。由于另一巨头三星也在2021年底官宣了2025年量产2纳米制程的计划，因此，2纳米被视为半导体代工界目前最前沿的争夺领域。

而英特尔1.8纳米的横空出世无疑宣告这一格局将被打破，如果能在2024年顺利量产2纳米与1.8纳米，英特尔将一举超越台积电与三星，成为目前全球半导体量产制程方面最领先的厂商。

窥探英特尔实现赶超的归因中，技术路线是被提及最多的因素。公开信息显示，为了打造新的系列制程，英特尔在2纳米上采取了独特的RibbonFET晶体管架构工艺，而这一架构类似于台积电、三星所采用的纳米片晶体管(Gate-All-AroundFET，简称“GAA”)架构，该架构可以更为精确地减少漏电损耗，降低功耗。

据基辛格在本届峰会上透露，凭借RibbonFET晶体管架构、PowerVIA电源传输系统、HighNAEUV光刻及2.5/3D先进封装等领先技术，英特尔预计在2030年前将一个芯片封装上的晶体管数量提升到1万亿个。

对于英特尔的崛起，CHIP全球测试中心中国实验室主任罗国昭向《中国经营报》记者表示，此前制程研发的不利，的确让英特尔方面有所清醒，技术出身的基辛格上任后，英特尔重新确立了回归代工的战略，而这对一家在技术研发方面功力深厚的老牌巨头而言，似乎是扬长避短的最好方式，目前来看，英特尔也证明了其技术影响力正在回归。

然而，对于英特尔能够很快追上台积电、三星的舆论预期，罗国昭则表示了谨慎观望的观点。“毕竟量产规划的时间并不等于实际量产的时间，此前已有很多厂商的延期案例可供证明。”同时他指出，由于具体的测试数据还未出炉，英特尔的1.8纳米在性能上能否赶超台积电三星的2纳米，也有待观察，毕竟制程数值的领先并不等于性能的绝对领先。

但毫无疑问，英特尔在高端制程上的入局，意味着台积电、三星两家独大的局面有望改变。TrendForce数据显示，目前台积电的市场份额接近52.9%，而三星以17.3%的份额位居第二，两家占据了全球近七成的芯片代工份额。